Билет 3. Дифференциальные параметры биполярных транзисторов

  • ID: 26665 
  • 7 страниц

Фрагмент работы:

Дифференциальные параметры биполярных транзисторов.

Биполярный транзистор удобно представить активным нелинейным четырехполюсником, изображенным на рисунке 2,а, у которого выходной ток I2 и входное напряжение 1зависят от входного тока 1и выходного напряжения 2В этом случае четырехполюсник описывается системой уравнений в H-параметрах.

[image] [image]

Рисунок 1 Рисунок 2

Переходя к мгновенным значениям напряжений и токов, уравнения можно представить в виде

[image] (1.35)

При малых изменениях токов и напряжений приращения входного и выходного напряжений и токов можно найти из следующих уравнений:

[image] (1.36)

Следует учитывать, что Н-параметры, указанные в формулах 1.36-1.38 имеют комплексный характер.

Частные производные в уравнениях (1.16) являются дифференциальными H-параметрами транзистора:

[image] (1.37)

Если значения переменных напряжений и токов транзистора существенно меньше значений постоянных напряжений и токов транзистора, то приведенные выше уравнения можно записать в виде:

[image] (1.38)

Здесь Iвх = I1 и Uвых U2— постоянные составляющие соответственно входного тока и выходного напряжения.

Каждый из параметров, приведенных в уравнениях, имеет определенный физический смысл: [image] — входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе (uвых = 0); [image] — коэффициент обратной связи, характеризующий влияние выходного напряжения на режиме разомкнутой входной цепи транзистора (uвх = 0); [image] — коэффициент усиления по току при uвых = 0; [image] — выходная проводимость транзистора при разомкнутой входной цепи (iвх = 0).

Указанные параметры можно определить по статическим характеристикам БТ, используя вместо частных производных соответствующие им малые приращения токов и напряжений. Значения H-параметров зависят от схемы включения БТ. В справочниках обычно приводят значения H-параметров для БТ, включенных по схеме с общим эмиттером. Для них приняты обозначения H11 э, H12 э, H21 э, H22 э.

Используя H-параметры, нетрудно представить формальную эквивалентную схему БТ в виде рисунка 1.18,б, справедливую для любой схемы включения транзистора. Очевидно, что это одна из моделей приборов с зависимыми источниками.