Контрольные по микроэлектронике

Вариант 0, подвариант 1. Разработка системы связи для передачи дискретных сообщений

На несимметричный кремневый р-n переход через резистор R подано в прямом направлении напряжение смешения Е концентрация доноров площадь перехода диффузионная длина электронов диффузионная длина дырок коэффициент неидеальности р-n перехода коэффициент диффузии электронов коэффициент диффузии

Шифр 13: 2 задачи. На несимметричный кремневый р-n переход через резистор R подано в прямом направлении напряжение

На несимметричный кремневый р-n переход через резистор R подано в прямом направлении напряжение смешения Е концентрация доноров площадь перехода диффузионная длина электронов диффузионная длина дырок коэффициент неидеальности р-n перехода коэффициент диффузии электронов коэффициент