Вариант 15. 3. Входное сопротивление: RВХ = 1 Мом. 4. Выходное сопротивление: RН = 2 кОм

  • ID: 47789 
  • 25 страниц

Фрагмент работы:

СОДЕРЖАНИЕ стр.

Техническое задание......................................................................2

Исходные данные............................................................................2

Введение......................................................................................3

1.Разработка структурной схемы.........................................................4

2.Разработка принципиальной схемы..................................................6

3.Разработка интегральной микросхемы..............................................8

3.1.Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных

элементов.................................................................................8

3.2.Разработка топологии................................................................14

3.3.Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной

микросхемы............................................................................19

Заключение.................................................................................24

Список литературы........................................................................25

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).

ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 15

Напряжение источника питания UПИТ = - 15 В.

Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 10.

Входное сопротивление: RВХ = 1 МОм.

Выходное сопротивление: RН = 2 кОм.

Выходное номинальное напряжение UНОМ = 3 В.

Нижняя рабочая частота: fН = 15 Гц.

Верхняя рабочая частота: FВ = 20 кГц.

Коэффициент искажений на нижней частоте: МН = 2 дБ.

Коэффициент искажений на верхней частоте: МВ = 2 дБ.

Тип входа: Н (несимметричный).

Тип выхода: С (симметричный).

ВВЕДЕНИЕ

Аналоговыми называются устройства, у которых сигналы являются непрерывными функциями времени. К основным классам аналоговых устройств относятся: усилители, аналоговые фильтры и генераторы, электронные и автоматические регуляторы, аналоговые перемножители напряжений, преобразователи, вторичные источники питания.

...

1. РАЗРАБОТКА СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫ

Для того чтобы обеспечить заданный режим работы усилителя составляется структурная схема на основе типовой (рисунок 1.1).

...

2. РАЗРАБОТКА ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ СХЕМЫ

Основным каскадом усиления является резисторный (рисунок 2.1), который выполнен на полевом транзисторе VT1 с управляющим р-n-переходом р – типа, включенный по схеме с общим истоком ОИ, что позволяет добиться максимальную мощность на выходе и высокого входного сопротивления, следовательно, осуществлять работу с высокоомными источниками входного сигнала. Для предотвращения попадания постоянной составляющей в цепь источника сигнала на входе предусмотрен разделительный конденсатор СР1.

...

3. РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ

3.1. Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов.

Рассматривая работу активных элементов в квазистатическом режиме и используя семейства выходных характеристик с построением нагрузочных прямых произвожу расчёт требуемого коэффициента усиления напряжения и номинальных значений пассивных элементов.

...

3.2. Разработка топологии

На первом этапе заданную электрическую схему необходимо преобразовать таким образом, чтобы все внешние выводы находились на краю длинных сторон и были исключены все пересечения пленочных проводников (рисунок 3.4).

...

3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной ИМС

Создание микросхем начинается с подготовки подложек. Применяют диэлектрические подложки квадратной или прямоугольной формы размерами до 10 см и толщиной 0,5...1 мм. Они должны удовлетворять ряду требований: иметь высокую механическую прочность, хорошую теплопроводность, быть термостойкими, химически инертными к осаждающим веществам, иметь хорошую адгезию к ним.

...

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной курсовой работе был рассмотрен принцип действия усилителя на полевом и биполярном транзисторах.

...

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

А. Н. Игнатов, Н. Е. Фадеева. Разработка интегрального аналогового устройства. Методические указания к курсовой работе.- Новосибирск, СибГУТИ, 2006.- 36 стр.

Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей - М.:Связь,1976

Степаненко И.П. Основы микроэлектроники - М.: Радио и связь, 1980.

Пельман Б.Л. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник. – М.: Радио и связь, 1981.